最新動(dòng)態(tài)高純金絲 (Gold Wire) 是直徑小于1mm 的絲狀純金材料，純度99.99% , 其制造需精密控制尺寸、力學(xué)性能，通常直徑范圍18~70μm（主流25μm），用于集成電路芯片與外部引線的連接，通過熱壓球焊或超聲焊接實(shí)現(xiàn)高速自動(dòng)化封裝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域 ，覆蓋科研、電子封裝、催化反應(yīng)等領(lǐng)域，全球年用量超過10噸。微米級(jí)金絲憑借高導(dǎo)電性、優(yōu)異延展性、耐腐蝕性及生物相容性，已成為高端制造的核心材料之一。
品名： 高純金絲
純度: 99.99%
常規(guī)直徑：0.025mm ( 25μm ), + 定制直徑
產(chǎn)能： 500~700公斤/月
產(chǎn)品應(yīng)用 Applications：
一、半導(dǎo)體封裝（核心應(yīng)用）
1. 鍵合引線（鍵合金絲）
- 功能：連接芯片電極與外部引線框架，實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián)。
- 技術(shù)特點(diǎn)：通過熱壓球焊或超聲焊接實(shí)現(xiàn)高速自動(dòng)化封裝。
- 優(yōu)勢：化學(xué)穩(wěn)定性高，避免氧化問題，適用于高端IC、軍品模塊等可靠性要求高的場景。
2. 導(dǎo)電金球與凸塊技術(shù)
- 微米級(jí)金球（5N級(jí)純度）用于芯片倒裝焊（Flip-Chip），替代傳統(tǒng)焊錫，提升導(dǎo)熱性和接合強(qiáng)度。
- 濕法制粉結(jié)合等離子球化技術(shù)已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化量產(chǎn)。
二、LED與功率器件
1. 高亮度LED電極互聯(lián)
- 用于大功率照明、背光產(chǎn)品，解決鍵合線遮光問題，提升發(fā)光效率。金絲的高耐熱性（耐受300℃）保障了高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。
2. 下一代功率半導(dǎo)體（SiC/GaN）
- 在碳化硅、氮化鎵器件中，金絲接合可在300℃高溫下保持導(dǎo)電性與強(qiáng)度，優(yōu)于易熔融的錫合金。
三、MEMS氣密封裝
- 技術(shù)需求：為微機(jī)電系統(tǒng)（如傳感器、陀螺儀）提供真空密封保護(hù)，防止?jié)駳馀c氧化。
- 金粒子燒結(jié)技術(shù)：次微米級(jí)金粒子通過絲網(wǎng)印刷形成密封框，在200℃低溫下燒結(jié)實(shí)現(xiàn)高氣密性（氦
泄漏率低至1.0×10-13 Pa●m3/s），吸收基板表面凹凸，提升良率。
四、醫(yī)療電子與神經(jīng)接口
1. 植入式電極
- 超細(xì)金絲（直徑＜1微米）嵌入硅橡膠，制成柔性神經(jīng)電極，用于帕金森癥、癲癇等疾病的神經(jīng)信號(hào)
記錄與刺激。其生物相容性可保持植入后3年以上穩(wěn)定性。
2. 醫(yī)用傳感器
- 在心臟起搏器、血糖監(jiān)測等設(shè)備中作導(dǎo)電線路，耐體液腐蝕且長期可靠。
五、美容護(hù)膚（新興領(lǐng)域）
- 納米金護(hù)膚：嚴(yán)格意義上屬納米尺度（＜100納米），但微米級(jí)金箔/金絲亦有應(yīng)用。通過促進(jìn)營養(yǎng)成
分導(dǎo)入、抗氧化和刺激膠原再生，用于抗衰護(hù)膚品及"金絲植入"美容術(shù)。
六、其他工業(yè)領(lǐng)域
- 精密儀器：光纖加強(qiáng)層、微型彈簧、高靈敏傳感器導(dǎo)絲。
- 3D堆疊與先進(jìn)封裝：金粒子轉(zhuǎn)印技術(shù)實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)3D集成，簡化制程并降低成本。
替代材料沖擊： 銅絲/銀絲因成本低逐步替代中低端市場，但金絲在高溫、高可靠性場景仍不可替代。微米級(jí)金絲的核心價(jià)值在于平衡性能與可靠性，尤其在半導(dǎo)體封裝、高溫電子、生物醫(yī)療領(lǐng)域不可替代。未來需通過工藝創(chuàng)新（如復(fù)合涂層、超細(xì)拉拔）應(yīng)對(duì)成本挑戰(zhàn)，并在腦機(jī)接口、柔性電子等前沿領(lǐng)域拓展功能邊界。
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